Siliciumcarbide

Siliciumcarbide

Siliciumcarbide is een niet-metaalachtig mineraal dat wordt geproduceerd bij temperaturen boven 1800 graden, waarbij kwartszand (SiO₂) en petroleumcokes (C) als basisgrondstoffen worden gebruikt. Het heeft een hoge hardheid, een lage thermische uitzettingscoëfficiënt, brosheid en uitstekende thermische geleidbaarheid.
Aanvraag sturen
Beschrijving
3dc1e96d283c23e01295fd4ec0514dbc

 

Invoering

 

Siliciumcarbide is een niet-metaalachtig mineraal dat wordt geproduceerd bij temperaturen boven 1800 graden, waarbij kwartszand (SiO₂) en petroleumcokes (C) als basisgrondstoffen worden gebruikt. Het heeft een hoge hardheid, een lage thermische uitzettingscoëfficiënt, brosheid en uitstekende thermische geleidbaarheid.

Vanwege deze eigenschappen wordt siliciumcarbide veel gebruikt op verschillende gebieden, waaronder schuurmiddelen, elektronische producten, vuurvaste materialen, speciale keramiek, schuimkeramiek, coatings en kunststofmodificatie. Het vindt ook toepassingen in auto-onderdelen, militaire en ruimtevaartindustrie, staalproductie en als deoxidatiemiddel.

 

optredens

 

Prestatie-indicatoren Parameterbereik Karakteristieke analyse
Smeltpunt 2700 graden (sublimatie) Hoger dan de meeste vuurvaste materialen, geschikt voor omgevingen met ultra-hoge- temperaturen (bijvoorbeeld hoogovens, keramische ovens).
Bulkdichtheid 3,0-3,2 g/cm³ Hoge dichtheid, uitstekende sterkte en slijtvastheid.
Thermische geleidbaarheid 20-40 W/(m·K) (bij 200 graden) Veel hoger dan traditionele vuurvaste materialen (bijv. korund, klei), met snelle warmteafvoer en uitstekende thermische schokbestendigheid.
Buigsterkte 200-500 MPa (bij kamertemperatuur) Langzame vermindering van de sterkte bij hoge temperaturen, met behoud van een hoge sterkte bij 1400 graden.
Chemische stabiliteit Extreem sterke weerstand tegen zure slakken, matige weerstand tegen alkalische slakken (reageert met alkalische stoffen zoals Na₂O bij hoge temperaturen). Bestand tegen corrosie door HF en gassen met hoge- temperatuur (bijv. CO, H₂), maar moet direct contact met sterke oxidatiemiddelen vermijden.
Bestand tegen thermische schokken Geen scheuren na 300-800 graden temperatuurverschilcycli Lage thermische uitzettingscoëfficiënt (4,5×10⁻⁶/ graad), gecombineerd met hoge thermische geleidbaarheid, geschikt voor werkomstandigheden met ernstige temperatuurschommelingen.

 

Fysische en chemische specificaties

 

Kristalvorm Zeshoekig kristal van siliciumcarbide
Dichtheid (g/cm³) 3.20
Hardheid Mohs 9.5
Kleur Zwart

Chemisch

Samenstelling

SiC

iCF. C .

Fe203

F12-F220

98% min

0,3%Max

0,5%Max

F12-F90

Groter dan of gelijk aan 98,50

<0.20

0,5%Max

F100-F150

Groter dan of gelijk aan 98,00

<0.30

0,6%Max

F180-F220

Groter dan of gelijk aan 97,00

<0.30

0,65%Max

F230-F400

Groter dan of gelijk aan 96,00

<0.40

0,65%Max

F500-F800

Groter dan of gelijk aan 95,00

<0.40

0,70%Max

F1000-F1200

Groter dan of gelijk aan 93,00

<0.50

0,80%Max

P12-P90

Groter dan of gelijk aan 98,50

<0.20

0,5%Max

P100-P150

Groter dan of gelijk aan 98,00

<0.30

0,5%Max

P180-P220

Groter dan of gelijk aan 97,00

<0.30

0,65%Max

P230-P500

Groter dan of gelijk aan 96,00

<0.40

0,65%Max

P600-P1500

Groter dan of gelijk aan 95,00

<0.40

0,70%Max

P2000-P2500

Groter dan of gelijk aan 93,00

<0.50

0,80%Max

 

Specificatie

 

Deeltjesgrootte

0-1 mm 1-3 mm 3-5 mm 5-8 mm

Gemicroniseerd poeder

F500, F2500, -100 mesh -200 mesh -320 mesh

Korrelig zand

8# 10# 12# 14# 16#20# 22# 24# 30# 36# 46# 54# 60# 80# 100# 120# 150# 180# 220#

Gemicroniseerd poeder (standaard)

W63 W50 W40 W28 W20 W14 W10 W7 W5 W3.5 W2.5

JIS

240# 280# 320# 360# 400# 500# 600# 700# 800# 1000# 1200# 1500# 2000# 2500# 3000# 4000# 6000#

FEPA

F230 F240 F280 F320 F360 F400 F500 F600 F800 F1000 F1200 F1500

 

Productieproces

 

Synthesemethoden

 

Sintermethode bij hoge- temperatuur:

Als grondstoffen worden kwartszand en petroleumcokes gebruikt. Siliciumcarbide (SiC) wordt geproduceerd door een reactie in een weerstandsoven bij een hoge temperatuur van 2.000–2.200 graden. Het resulterende materiaal wordt vervolgens vermalen en gezuiverd om SiC-deeltjes of -poeder te verkrijgen.

 

Dampfase-afzettingsmethode:

Hoog-zuiver SiC wordt geproduceerd door een gas-fasereactie tussen siliciumtetrachloride (SiCl₄) en methaan (CH₄) bij verhoogde temperaturen. Deze methode wordt vaak gebruikt om hoogwaardige- keramische coatings of ultrafijne poeders te produceren.

 

Bindmethoden (in vuurvaste materialen)

 

Kleibinding: Klei wordt als bindmiddel gebruikt. Na het vormen en drogen is het product geschikt voor vuurvaste toepassingen bij lage- en middelhoge- temperaturen.

 

Oxidebinding: Oxiden zoals Al₂O₃ en SiO₂ reageren met SiC en vormen bindingsfasen zoals mulliet- en glasachtige fasen, die de productsterkte vergroten.

 

Zelf-hechting: de hechting wordt bereikt door het sinteren van SiC-deeltjes in de vaste-fase of de vloeibare-fase bij hoge temperaturen, wat resulteert in dichte, hoog-sterke producten.

 

Nitridebinding: Door de reactie tussen silicium (Si) en stikstof (N₂) wordt een siliciumnitride (Si₃N₄)-bindingsfase gevormd, waardoor nitride-gebonden siliciumcarbide (N-SiC) met uitstekende erosieweerstand ontstaat.

 

Sollicitatie

 

(1) Siliciumcarbide voor vuurvaste materialen

 

Tijdens de productie en verwerking van zwart siliciumcarbide wordt een aanzienlijke hoeveelheid materiaal gegenereerd met een zuiverheid van minder dan 90%-, gewoonlijk aangeduid als zwart siliciumcarbide met een laag-siliciumgehalte-. Dit siliciumcarbide met een lagere-zuiverheid wordt veel gebruikt in de vuurvaste en staalindustrie, vooral in toepassingen zoals desoxidatiemiddelen, vuursteen, gietmaterialen en ijzeren sleufmaterialen.

 

Ons bedrijf levert het hele jaar door een verscheidenheid aan specificaties voor siliciumcarbide, met beschikbare zuiverheidsgraden, waaronder: 98%, 95%, 90%, 88%, 85%, 80%, 75%, 70%, 65%, 60%, 55%, 50%, 45% en 40%. Deeltjesgroottes kunnen worden aangepast aan de eisen van de klant. Standaard maatbereiken omvatten 0–1 mm, 0–50 mm, 1–10 mm en 100–400 mesh.

 

(2) Siliciumcarbide voor deoxidatie en gieten van staal

 

Siliciumcarbide is een verbinding van koolstof en silicium, voornamelijk gebonden door covalente bindingen, en is geclassificeerd als een niet-oxiderend materiaal. Het wordt echter aanzienlijk onstabiel bij blootstelling aan hoge temperaturen in oxiderende omgevingen-vooral boven 1627 graden, waar oxidatie snel plaatsvindt. Het benutten van deze eigenschap bij de staalproductie helpt de productiekosten te verlagen en heeft effectieve resultaten opgeleverd.

 

De meest gebruikte kwaliteiten variëren van 80% tot 95% zuiverheid, met deeltjesgroottes van 0–10 mm, 0–5 mm, 1–3 mm en 1–5 mm. De maat 1–5 mm is vooral populair voor giettoepassingen.

 

Hoe kunt u met ons samenwerken?

7*24 uur online reactie

Bied professionele after--bescherming

Ons adres

Qinghua Management Dist., Dashiqiao-stad, Yingkou-stad, Liaoning, China

Telefoonnummer

+8613700131695

+8618540210631

E-mail

info@zinfon-refractory.com

modular-1

 

 

Populaire tags: siliciumcarbide, China siliciumcarbide fabrikanten, leveranciers, fabriek